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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0603Y222JBAAR31G

GA0603Y222JBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 16:33:32 查看 閱讀�18

GA0603Y222JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換等場景。該芯片采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠��
  該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,支持高電流負載,并且在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻:極電荷:95nC
  開關時間:ton=45ns, toff=30ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA0603Y222JBAAR31G 的核心優(yōu)勢在于其超低的導通電阻和高效的開關性能。這使得它非常適合用于高功率密度的應用場景,例如服務器電源、工�(yè)電機控制和新能源汽車中的 DC-DC 轉換��
  此外,該芯片具有�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在極端環(huán)境條件下依然可以保持良好的電氣特�。通過�(yōu)化的封裝設計,進一步提升了散熱性能和抗電磁干擾能力�
  此芯片還集成了多種保護功能,包括過流保護和短路保�,從而增強了整體系統(tǒng)的安全性�

應用

該芯片廣泛應用于各類高功率電子設備中,具體包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS) 設計中的主開關管或同步整流管�
  2. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS) 和逆變��
  3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動電��
  4. 高效 DC-DC 轉換器的核心功率器件�
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關產��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5570
  STP30NF06L

ga0603y222jbaar31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-