GA0603Y122MXBAP31G 是一款高性能的工�(yè)�(jí) MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠在緊湊的設(shè)�(jì)中提供卓越的性能表現(xiàn)�
型號(hào):GA0603Y122MXBAP31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�1.3W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0603Y122MXBAP31G 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V 的條件下,Rds(on) 僅為 45mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損�,提升了系統(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,該 MOSFET 支持快速開�(guān)操作,適用于高頻�(yīng)��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) +150� 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運(yùn)�,滿足嚴(yán)苛工況需求�
4. ESD保護(hù):內(nèi)置靜電放電保�(hù)功能,提高了器件的可靠性和抗干擾能力�
5. 小型化設(shè)�(jì):采� TO-252 表面貼裝封裝,節(jié)� PCB 空間,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
該芯片的主要�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率�(zhuǎn)換�
2. 直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)器中的開�(guān)元件�
3. LED �(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載切��
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的信�(hào)隔離與放��
5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路�
此外,它還適用于消費(fèi)電子、汽車電子以及其他需要高效功率管理的�(lǐng)域�
IRLZ44N, AO3400, FDMQ8203