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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603Y122MXBAP31G

GA0603Y122MXBAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 2:34:22 查看 閱讀�9

GA0603Y122MXBAP31G 是一款高性能的工�(yè)�(jí) MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠在緊湊的設(shè)�(jì)中提供卓越的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GA0603Y122MXBAP31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�1.3W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

GA0603Y122MXBAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V 的條件下,Rds(on) 僅為 45mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損�,提升了系統(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)�,該 MOSFET 支持快速開�(guān)操作,適用于高頻�(yīng)��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) +150� 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運(yùn)�,滿足嚴(yán)苛工況需求�
  4. ESD保護(hù):內(nèi)置靜電放電保�(hù)功能,提高了器件的可靠性和抗干擾能力�
  5. 小型化設(shè)�(jì):采� TO-252 表面貼裝封裝,節(jié)� PCB 空間,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�

�(yīng)�

該芯片的主要�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率�(zhuǎn)換�
  2. 直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)器中的開�(guān)元件�
  3. LED �(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載切��
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的信�(hào)隔離與放��
  5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)電路�
  此外,它還適用于消費(fèi)電子、汽車電子以及其他需要高效功率管理的�(lǐng)域�

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400, FDMQ8203

ga0603y122mxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-