GA0603Y122MBBAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低損耗的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合在高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用中使用�
這款MOSFET芯片的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的動態(tài)性能和熱�(wěn)定�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效�,并減少�(fā)熱問�。此�,其封裝形式�(jīng)過精心設(shè)�(jì),可支持大電流輸�,同時保持較小的占板面積�
型號:GA0603Y122MBBAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�75nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=19ns,toff=24ns(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和提升效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場��
3. 高度�(wěn)定的電氣參數(shù),確保長時間�(yùn)行的可靠��
4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
5. �(qiáng)大的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下正常工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
7. 支持大電流操�,適用于各種高負(fù)載場��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電機(jī)�(qū)動中的逆變橋臂組件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換開�(guān)�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理模塊�
7. 其他需要高效能功率�(zhuǎn)換和控制的場��
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXFN100N04T2