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GA0603Y122MBBAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 21:37:49 查看 閱讀�19

GA0603Y122MBBAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低損耗的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合在高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用中使用�
  這款MOSFET芯片的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的動態(tài)性能和熱�(wěn)定�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效�,并減少�(fā)熱問�。此�,其封裝形式�(jīng)過精心設(shè)�(jì),可支持大電流輸�,同時保持較小的占板面積�

參數(shù)

型號:GA0603Y122MBBAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg)�75nC(典型值)
  開關(guān)時間:ton=19ns,toff=24ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和提升效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場��
  3. 高度�(wěn)定的電氣參數(shù),確保長時間�(yùn)行的可靠��
  4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  5. �(qiáng)大的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下正常工作�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  7. 支持大電流操�,適用于各種高負(fù)載場��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電機(jī)�(qū)動中的逆變橋臂組件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換開�(guān)�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理模塊�
  7. 其他需要高效能功率�(zhuǎn)換和控制的場��

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5500
  IXFN100N04T2

ga0603y122mbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-