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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603H821JBXAR31G

GA0603H821JBXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:33:33 查看 閱讀�20

GA0603H821JBXAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和信�(hào)切換等場(chǎng)�。該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型器件,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)使其能夠在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  功�(Pd)�180W
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA0603H821JBXAR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高效率�
  2. 高電流承載能� (Id),適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 出色的熱�(wěn)定�,適合在高溫�(huán)境下�(yùn)行�
  4. 快速開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗并支持高頻操作�
  5. 具備較強(qiáng)的抗靜電能力 (ESD Protection),提高了器件的可靠��
  6. 封裝形式� TO-263,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款 MOSFET 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率控制�
  5. 通信�(shè)備中的電源模��
  6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA0603H821JBXAR31F, GA0603H821JBXAR31E

ga0603h821jbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-