GA0603H562KXXAC31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專(zhuān)為需要高效率和低功耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備出色的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通性能。它通常用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。
其封裝形式為 LFPAK8,在節(jié)省空間的同時(shí)確保了良好的散熱性能。由于其低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和快速開(kāi)關(guān)能力,GA0603H562KXXAC31G 能夠在高頻工作條件下實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
類(lèi)型:MOSFET
極性:N-channel
最大漏源電壓(Vdss):60V
最大連續(xù)漏極電流(Id):16A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷(Qg):16nC
總功耗(Ptot):2.7W
工作溫度范圍(Ta):-55℃ to +175℃
封裝:LFPAK8
GA0603H562KXXAC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),從而降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高雪崩能力,增強(qiáng)器件在過(guò)載條件下的耐用性。
4. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
5. 小型化的 LFPAK8 封裝,適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛。
這些特性使得 GA0603H562KXXAC31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,例如步進(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電機(jī)控制。
3. 負(fù)載開(kāi)關(guān),用于保護(hù)下游電路免受過(guò)流或短路的影響。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于高效的充電和放電控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換與功率控制。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和剎車(chē)控制單元。
憑借其卓越的性能和可靠性,GA0603H562KXXAC31G 在眾多電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
GA0603H562KXXA, IPD60R060P7, FDP150AN60