GA0603H561MBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低功耗應用而設�。該芯片采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適用于各種電源管理場景。其封裝形式和電氣特性使其非常適合用� DC-DC 轉換器、電機驅動以及負載開關等應用��
這款器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,能夠顯著減少系�(tǒng)中的能量損耗,同時提升整體效能�
類型:功� MOSFET
導通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,Vgs=10V�
擊穿電壓(BVDSS):60 V
連續(xù)漏極電流(Id):45 A(Tc=25°C�
柵極電荷(Qg):78 nC
反向恢復時間(trr):45 ns
封裝形式:TO-263-3 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導通電阻確保了高效率和低熱損��
2. 高速開關能�,適合高頻電路設��
3. 提供出色的熱性能,增強系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
4. 緊湊的封裝尺寸簡化了 PCB 布局并節(jié)省空��
5. 寬泛的工作溫度范圍支持惡劣環(huán)境下的應用需��
6. 具備�(yōu)秀的雪崩能力和魯棒性,增強了器件的安全裕度�
1. 開關電源(SMPS)及 AC-DC 轉換器�
2. 同步整流電路�
3. DC-DC 轉換器與降壓/升壓模塊�
4. 汽車電子中的負載開關和電機驅��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
7. 通信電源及分布式供電架構中的功率分配�
GA0603H561MBAAJ31G, IRF6650N, FDP5500NL