類型：MOSFET
　　極性：N 沓
　　最大漏源電壓(Vdss)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　持續(xù)漏電流(Id)：330A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：348W
　　封裝形式：D2PAK (TO-263)
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

GA0603H333JBXAT31G 的主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力，可滿足大功率應(yīng)用需求。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，適合高頻操作環(huán)境。
　　4. 高度可靠的封裝設(shè)計(jì)，確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。

該型號(hào) MOSFET 廣泛用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 各類負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　5. 工業(yè)設(shè)備及汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊。

GA0603H333JAXAT31G, IRF3710, FDP18N06L