GA0603H123MXAAC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高耐壓能力的特�(diǎn)。通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),這款芯片能夠在高頻工作條件下保持較低的功�,非常適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用環(huán)��
此外,該器件還具備良好的熱性能和可靠�,能夠滿足工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(yán)格要��
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�3.5A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�40mΩ(典型值,Vgs=10V�
總柵極電荷Qg�17nC
輸入電容Ciss�1180pF
輸出電容Coss�180pF
反向傳輸電容Crss�38pF
�(kāi)�(guān)速度:快�
封裝形式:TO-252
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 高耐壓能力(Vds=60V�,確保在�(fù)雜電路環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 良好的熱性能,支持長(zhǎng)�(shí)間高�(fù)載工��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和安��
6. 具備靜電防護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性和抗干擾能��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�(yīng)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
4. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)和保�(hù)�
5. 各類(lèi)便攜式設(shè)備的充電管理模塊�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元�
7. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效電源解決方��
IRFZ44N, FQP30N06L, AO3400