GA0603H123KXXAC31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率放大等應用場�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電�、高開關速度和良好的熱穩(wěn)定�,適用于消費電子、工�(yè)控制和通信設備等領��
該型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,其設計旨在提高效率并減少能量損�。通過�(yōu)化的芯片結構和封裝技術,GA0603H123KXXAC31G 能夠在高頻和高功率條件下保持�(wěn)定性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.8A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�14nC
開關時間:ton=9ns, toff=17ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA0603H123KXXAC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(3.5mΩ�,能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,適合高頻應用環(huán)境�
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和魯棒�,能夠在極端溫度范圍內正常工��
4. 小型化封裝設計,有助于節(jié)� PCB 空間并簡化布局�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特點� GA0603H123KXXAC31G 成為電源管理、電機驅動和信號切換的理想選擇�
GA0603H123KXXAC31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關和保護電��
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動和繼電器替��
4. 消費電子產品中的快速充電模塊和高效能轉換電��
5. 電信設備中的信號調節(jié)和功率分配�
由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠�,該器件在需要高效功率傳輸和精準控制的應用中表現(xiàn)出色�
GA0603H123KXXAC31P
IRFZ44N
FDP5540
AON6820