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GA0603H122KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 2:33:58 查看 閱讀�9

GA0603H122KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式為TO-252(DPAK�,能夠滿足多種應(yīng)用場景的需求�
  該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于需要高效能和低損耗的電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.5A
  �(dǎo)通電阻:12mΩ
  柵極電荷�17nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252(DPAK�

特�

GA0603H122KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下顯著降低功耗�
  2. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損�,提升整體效��
  3. 高度可靠的電氣性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 小巧的封裝尺�,適合空間受限的�(yīng)用場景�
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和裝配�
  6. 具備�(yōu)異的熱管理和散熱性能,確保長�(shí)間工作的�(wěn)定性�
  這些特點(diǎn)使得該器件非常適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效能和低損耗的電路中�

�(yīng)�

GA0603H122KBAAT31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器�
  2. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 消費(fèi)電子�(shè)備中的電源管理模��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)�(dòng)電路�
  6. 通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)和功率控��
  這款功率MOSFET憑借其出色的性能和可靠�,成為許多工程師在設(shè)�(jì)高效能功率電路時(shí)的理想選��

替代型號(hào)

GA0603H122KBAT31G, IRFZ44N, FDP5580

ga0603h122kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-