GA0603A8R2CBBAT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體管,主要�(yīng)用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換場�。該芯片采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低開�(guān)損耗并提高功率密度。其卓越的熱性能和電氣特性使其成為下一代電源設(shè)�(jì)的理想選��
該型號屬� GaN Systems 公司� GS 系列�(chǎn)品線,專注于提供高效能、低電磁干擾的解決方�。由于氮化鎵材料本身具備高電子遷移率和高擊穿場強(qiáng)的特�(diǎn),使得這款晶體管在高頻開關(guān)條件下依然保持優(yōu)異的表現(xiàn)�
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
輸入電容�1450pF
柵極電荷�90nC
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TOLL(TO-247-4L�
1. 高頻開關(guān)能力:得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,該晶體管能夠在高達(dá)�(shù)MHz的頻率下�(wěn)定運(yùn)�,遠(yuǎn)超傳�(tǒng)硅基MOSFET的性能�
2. 超低�(dǎo)通電阻:15mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損耗,在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
3. 快速開�(guān)速度:極低的柵極電荷和輸出電荷設(shè)�(jì)大幅減少了開�(guān)損耗,提高了系�(tǒng)效率�
4. �(qiáng)大的散熱性能:TOLL 封裝形式提供了高效的熱傳�(dǎo)路徑,便于將熱量快速散�(fā)到散熱片上�
5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的測試�(yàn)�,該器件可在極端溫度和負(fù)載條件下長期�(wěn)定工作�
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源:
由于�(shù)�(jù)中心對能效要求極�,該器件的高效率特性非常適合用于這類場景�
2. 電動(dòng)車充電設(shè)備:
在電�(dòng)汽車充電樁中,GA0603A8R2CBBAT31G 能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電的同時(shí)減少能量損��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
適用于需要高頻PWM控制的工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�,提供精�(zhǔn)的速度與扭矩調(diào)節(jié)�
4. 太陽能逆變器:
用于光伏系統(tǒng)的DC-AC�(zhuǎn)換,提升整體�(fā)電效��
GS66508T
TX65H036KLL
GAN063-650WSA