GA0603A820GXAAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具備出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
其封裝形式緊湊,能夠有效降低系統(tǒng)的整體尺�,并提供�(yōu)異的熱性能表現(xiàn)。此�,GA0603A820GXAAP31G 的耐壓能力較強(qiáng),能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�
型號(hào):GA0603A820GXAAP31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2mΩ
總柵極電荷(Qg):45nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝:TO-247
GA0603A820GXAAP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,適用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 高電流處理能�,能夠承受高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流�
4. 寬工作電壓范圍和良好的耐壓能力,確保在各種�(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定性�
5. �(yōu)秀的熱性能,通過(guò)�(yōu)化封裝設(shè)�(jì)提高散熱效率�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制電�(jī)的速度和方��
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理單元�
6. 其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
GA0603A820GXAAP31H, IRFZ44N, FDP5570N