GA0603A820GBBAR31G 是一款由知名廠商生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片。該芯片主要�(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。它采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�,使其成為許多電力電子應(yīng)用的理想選擇�
這款芯片在設(shè)�(jì)上注重高效能與穩(wěn)定�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)節(jié)能和可靠性的需��
型號(hào):GA0603A820GBBAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�35A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.0mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
功�(Pd)�150W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0603A820GBBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,可支持高頻操作,適合用于高頻開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. �(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性,提高了器件在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 具備�(yōu)異的熱性能,即使在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和不間斷電源(UPS) 系統(tǒng)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)開關(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電控制開�(guān)�
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和家電�(chǎn)品的功率模塊�
6. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車中的逆變器和控制器組��
GA0603A820GBBAR31H, IRF840, STP36NF06L