GA0603A681JBAAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關(guān)和放大應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電路中,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器和電源管理模��
該型號屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)計優(yōu)化了在高頻工作條件下的效率和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:典型開啟時� 9ns,典型關(guān)閉時� 12ns
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高脈沖電流能力,支持大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損��
4. 緊湊的封裝設(shè)�,便� PCB 布局�
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和耐用�,適用于惡劣的工作環(huán)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動和控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
7. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)
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IRFZ44N
FDP5800