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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603A151FBAAT31G

GA0603A151FBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:54:22 查看 閱讀�15

GA0603A151FBAAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升電路效率并減少功耗�
  此型�(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷�49nC(最大值)
  輸入電容�1850pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA0603A151FBAAT31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。這些特點(diǎn)使其在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  1. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅� 1.5mΩ,可大幅降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)速度:得益于低柵極電荷設(shè)�(jì),能有效減少開關(guān)損��
  3. 高溫�(wěn)定性:支持最高結(jié)溫達(dá) 175°C,確保在極端條件下的可靠��
  4. 熱性能�(yōu)越:采用 TO-247-3 封裝,散熱能力突�,適合大功率�(chǎng)��
  5. 高雪崩耐量:具備較�(qiáng)的抗浪涌能力,增�(qiáng)了器件的耐用��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的場(chǎng)合:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):包括無(wú)刷直流電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如伺服控制器和逆變��
  4. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:用于基站功率放大器和電源模塊�
  5. 新能源領(lǐng)域:太陽(yáng)能逆變�、電�(dòng)車充電器等對(duì)功率效率要求較高的系�(tǒng)�

替代型號(hào)

GA0603A151FBAAT31H, GA0603A151FBAAT31J

ga0603a151fbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-