GA0603A150JBCAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的半導體制造工藝設計,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。該芯片廣泛應用于電源管�、電機驅�、DC-DC轉換器等領域。其封裝形式適合表面貼裝技術(SMT�,能夠滿足現代電子設備對小型化和高效能的需��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,通過柵極電壓控制漏極電流,在高頻應用中表現出�。同�,它具備良好的抗電磁干擾能力,能夠在嚴苛的工作環(huán)境下�(wěn)定運��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.8A
導通電阻:15mΩ
柵極電荷�28nC
開關時間:ton=9ns, toff=17ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
1. 極低的導通電�,有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻應用場��
3. 高度可靠的電氣性能和機械強度,保證長期使用�(wěn)定��
4. 熱阻�,有助于散熱并提高整體性能�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. �(yōu)秀的短路耐受能力和過載保護功��
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開關�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負載開關�
3. 電機驅動電路中的功率級組��
4. 固態(tài)繼電器和工業(yè)自動化控制領��
5. LED 驅動器和汽車電子系統(tǒng)�
6. 通信設備中的信號調節(jié)與功率放��
IRFZ44N
FDP5800
AON6714
STP55NF06L