GA0603A100JBAAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域�
該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,能夠在高頻和大電流�(huán)境下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
類型:N溝道MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�32A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.0mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
閾值電壓(Vgs(th)):2.1V
最大工作結(jié)溫:175�
封裝形式:TO-247-3
GA0603A100JBAAT31G 的主要特點包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低功率損耗�
2. 高頻開關(guān)能力,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正電路�
3. 熱性能�(yōu)�,能夠承受較高的瞬時功率脈沖�
4. 提供快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 具備良好的靜電防護能�,提高系�(tǒng)�(wěn)定性�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路�
3. 電機�(qū)動與控制�
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 電動車及充電站相�(guān)的電力轉(zhuǎn)換裝��
GA0603A100JBBAT31G, IRF540N, FDP18N60