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GA0603A100JBAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 10:47:26 查看 閱讀�18

GA0603A100JBAAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域�
  該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,能夠在高頻和大電流�(huán)境下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�32A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.0mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  閾值電壓(Vgs(th)):2.1V
  最大工作結(jié)溫:175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA0603A100JBAAT31G 的主要特點包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低功率損耗�
  2. 高頻開關(guān)能力,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正電路�
  3. 熱性能�(yōu)�,能夠承受較高的瞬時功率脈沖�
  4. 提供快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 具備良好的靜電防護能�,提高系�(tǒng)�(wěn)定性�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路�
  3. 電機�(qū)動與控制�
  4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 電動車及充電站相�(guān)的電力轉(zhuǎn)換裝��

替代型號

GA0603A100JBBAT31G, IRF540N, FDP18N60

ga0603a100jbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容10 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-