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時(shí)間：2025/5/20 21:35:25
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GA0603A100FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和性能。
該器件封裝形式為 FBBAT31G，適合高密度貼裝設(shè)計(jì)，同時(shí)具備良好的散熱性能。
型號(hào)：GA0603A100FBBAT31G
類型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：31A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.0mΩ (典型值，在 Vgs=10V 時(shí))
總柵極電荷(Qg)：85nC
輸入電容(Ciss)：4240pF
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：79ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：FBBAT31G
GA0603A100FBBAT31G 具有以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高開關(guān)速度，得益于較低的柵極電荷 Qg 和快速的反向恢復(fù)時(shí)間 trr，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 超薄封裝 FBBAT31G 提供卓越的熱性能，便于在緊湊型設(shè)計(jì)中使用。
4. 工作溫度范圍寬廣，可在極端環(huán)境下可靠運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)芯片的抗靜電能力，減少潛在損壞風(fēng)險(xiǎn)。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓和升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，如無刷直流電機(jī)（BLDC）控制器。
4. 汽車電子系統(tǒng)，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、剎車控制單元（BCU）和電池管理系統(tǒng)（BMS）。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備，如伺服驅(qū)動(dòng)器和逆變器。
6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
7. 其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
GA0603A100FBBAT31H, IRF3205, SI4481DP
