GA0402Y681KXXAP31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于電源適配器、快充設(shè)備以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)��
其設(shè)�(jì)�(jié)合了氮化鎵材料的�(yōu)異性能,大幅提升了功率密度和能�,同�(shí)縮小了整體系�(tǒng)尺寸�
型號(hào):GA0402Y681KXXAP31G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
額定電壓�650V
額定電流�4A
�(dǎo)通電阻:160mΩ(典型�,@Vgs=6V�
柵極電荷�30nC(最大值)
開關(guān)頻率:最高支� MHz�(jí)
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:P31G
GA0402Y681KXXAP31G 的主要特�(diǎn)是利用氮化鎵半導(dǎo)體材料的卓越性能。相較于傳統(tǒng)的硅基MOSFET,它擁有更低的導(dǎo)通電阻和更少的寄生電�,從而能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的效率。此�,該器件還具有以下優(yōu)�(diǎn)�
- 極低的輸出電容和反向恢復(fù)電荷,減少了開關(guān)損��
- �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)保護(hù)電路,提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
- 小巧的封裝尺�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
- 出色的熱性能,確保在高負(fù)載條件下依然保持良好的散熱能力�
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于�(duì)效率和尺寸要求較高的電力電子�(lǐng)�,具體包括:
- USB PD 快速充電器
- 小型� AC-DC 適配�
- 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
- LED �(qū)�(dòng)電源
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效電源模塊
- 太陽(yáng)能微型逆變�
這些�(yīng)用場(chǎng)景得益于其高效的開關(guān)特性和緊湊的設(shè)�(jì)�(yōu)�(shì)�
GAN041-650WSA
Transphorm TP65H030WS
Infineon IMS60R050M1H