GA0402Y391MXAAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,主要用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用增強(qiáng)� GaN FET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器以及其他功率電子�(shè)備中�
這款芯片在設(shè)計上�(jié)合了先�(jìn)的封裝技�(shù)和材料科�(xué),以確保其能夠在高溫、高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,同時保持較低的能量損��
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電�(Vds)�650V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�39mΩ
柵極�(qū)動電�(Vgs)�4.5V~6V
輸入電容(Ciss)�1800pF
輸出電容(Coss)�75pF
反向傳輸電容(Crss)�25pF
開關(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
工作溫度范圍�-55� ~ +150�
GA0402Y391MXAAP31G 具有以下顯著特性:
1. 高效能量�(zhuǎn)換:由于其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著降低傳�(dǎo)和開�(guān)損耗�
2. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件可以�(shí)�(xiàn)更高的功率密�,從而減小系�(tǒng)體積�
3. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,能夠在極端溫度和負(fù)載條件下長期可靠�(yùn)行�
4. 易于�(qū)動:兼容�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)�,簡化了電路�(shè)計過程�
5. 熱性能�(yōu)異:具備良好的散熱特性和耐熱沖擊能力,有助于提高系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):如筆記本電腦適配器、手�(jī)快充��
2. 工業(yè)電源:例如通信基站電源、數(shù)�(jù)中心電源模塊�
3. 汽車電子:包括車載充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動器�
4. 可再生能源:太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:便攜式設(shè)備充電器及音頻放大器等需要高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場��
KSG065R039E, EPC2020