GA0402Y183KXJAC31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件適用于高頻和高功率應(yīng)用,例如射頻功率放大�、通信�(shè)備以及雷�(dá)系統(tǒng)。其出色的開�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基功率器件的理想替代品�
該芯片采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以提高散熱性能,并且在高頻條件下表�(xiàn)出卓越的效率和增��
類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
額定電壓�650V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:18mΩ
柵極電荷�90nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-247-4L
GA0402Y183KXJAC31G 提供了非常低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,從而顯著降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�。這種 GaN HEMT 具有較高的擊穿電�,能夠承受較大的功率密度,同時保持較小的芯片尺寸�
由于其增�(qiáng)型結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)(e-mode�,此器件無需�(fù)雜的�(qū)動電路即可直接使�,簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了可靠��
此外,它還具有較低的寄生電感和電容,非常適合高頻�(yīng)用環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)換或信號放大需��
該器件廣泛應(yīng)用于需要高效率和高性能的領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 射頻功率放大�
2. 無線充電�(shè)�
3. �(shù)�(jù)中心電源
4. 新能源汽車中的DC/DC�(zhuǎn)換器
5. 工業(yè)級電�(jī)�(qū)動控�
6. 雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)
這些�(yīng)用都依賴于其�(yōu)異的高頻響應(yīng)能力和穩(wěn)定的功率輸出�
GS66508T-EH, TXGQ16N65EH