GA0402Y182KXXAP31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的性能和可靠性,適用于射頻放大器、電源轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
此型�(hào)中的各�(gè)字母和數(shù)字代表了具體的電氣參�(shù)、封裝形式以及工作條�,例如電壓等�(jí)、電流能力、頻率范圍等�
類型:GaN HEMT
額定電壓�100 V
額定電流�4 A
�(dǎo)通電阻:18 mΩ
柵極電荷�65 nC
最大工作溫度:175 �
封裝形式:P31G
GA0402Y182KXXAP31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:得益于氮化鎵材料的獨(dú)特屬性,該器件可承受高達(dá)100V的工作電��
2. 超低�(dǎo)通電阻:�18mΩ的導(dǎo)通電阻顯著降低了功率損耗,提升了整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其低柵極電荷和高電子遷移率,開(kāi)�(guān)速度�?�?,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. 高溫適應(yīng)性:該器件能夠在高達(dá)175℃的�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,非常適合嚴(yán)苛的工作�(huán)��
5. 小型化封裝:P31G封裝形式使其體積小巧,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
此外,該器件還具有優(yōu)異的熱管理和出色的可靠性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效、高性能元器件的需��
GA0402Y182KXXAP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:在無(wú)線通信基站、雷�(dá)系統(tǒng)等需要高功率輸出的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
2. 電源管理:適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC�(zhuǎn)換器等高效電源解決方��
3. 汽車電子:可用于電動(dòng)汽車中的逆變�、車載充電器��
4. 工業(yè)�(shè)備:如工�(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)�、不間斷電源(UPS)等�
憑借其卓越的性能,該器件成為了眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�
GA0402Y182KXXAP31A, GA0402Y182KXXAP31B