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GA0402Y122MXBAC31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 20:17:34 查看 閱讀�7

GA0402Y122MXBAC31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝以提供卓越的電氣性能。該器件適用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電機驅(qū)動電路等。其出色的熱特性和可靠性使其成為高功率密度設計的理想選��
  該型號中的具體參�(shù)可以通過其編碼分解來獲取更多信息,例如封裝類�、電壓等級及特定應用領域��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�20A
  導通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�85nC
  開關速度:超�
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GA0402Y122MXBAC31G 具有非常低的導通電阻(Rds(on)�,可以顯著減少導通損耗并提高整體效率。此�,它還具有較低的柵極電荷,從而降低了開關損耗,并支持高頻操�。此器件采用了先進的封裝技術,具備�(yōu)秀的散熱能�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
  該芯片的快速開關能力和堅固的設計使其非常適合用于各種工�(yè)和消費類電子設備中,包括但不限于筆記本電腦適配器、電信電源和電動工具等領域�
  此外,這款功率MOSFET 還具備強大的抗雪崩能�,在異常情況下能夠保護電路免受損��

應用

主要應用于高效能開關電源、同步整流電�、負載切�、馬達控制以及其他需要高性能功率開關的場�。在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)中也有廣泛應�,因為它能夠承受較高的電流和電壓波動,同時保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  對于便攜式設備而言,這種 MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更長的電池續(xù)航時�,因為它的低導通電阻減少了功耗損�。另�,在 LED 照明系統(tǒng)里也可以用作�(diào)光控制器或驅(qū)動器元件�

替代型號

GA0402Y122MXBAE21G
  IRFZ44N
  FDP5501
  AON6711

ga0402y122mxbac31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-