GA0402H821JXBAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能量損��
該器件主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及各種需要高效功率管理的電子�(shè)備中�
型號:GA0402H821JXBAP31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
輸入電容(Ciss):2220pF
總功耗(Ptot):240W
工作溫度范圍(Tj):-55� to +175�
GA0402H821JXBAP31G 具有以下突出特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在高電流應(yīng)用中減少了功率損��
2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損�,并適合高頻工作�(huán)��
3. 高雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在過流或短路條件下的可靠��
4. 提供了出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于電路板布局和安�,同�(shí)節(jié)省空��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 新能源汽車的車載充電器及電池管理系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 通信基站的電源管理單��
IRF540N
STP40NF60
FDP5500