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GA0402H821JXBAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 13:37:54 查看 閱讀�32

GA0402H821JXBAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能量損��
  該器件主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及各種需要高效功率管理的電子�(shè)備中�

參數(shù)

型號:GA0402H821JXBAP31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):40A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
  柵極電荷(Qg):75nC
  輸入電容(Ciss):2220pF
  總功耗(Ptot):240W
  工作溫度范圍(Tj):-55� to +175�

特�

GA0402H821JXBAP31G 具有以下突出特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在高電流應(yīng)用中減少了功率損��
  2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損�,并適合高頻工作�(huán)��
  3. 高雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在過流或短路條件下的可靠��
  4. 提供了出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于電路板布局和安�,同�(shí)節(jié)省空��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 新能源汽車的車載充電器及電池管理系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. 通信基站的電源管理單��

替代型號

IRF540N
  STP40NF60
  FDP5500

ga0402h821jxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-