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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0402H222JXXAP31G

GA0402H222JXXAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 21:32:50 查看 閱讀�14

GA0402H222JXXAP31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,主要用于高�、高效功率轉換應�。該型號具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于電源適配器、充電器、DC-DC 轉換器以及其他需要高性能功率管理的場��
  這款芯片利用了氮化鎵材料的優(yōu)異特�,能夠提供比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的效率和更小的尺寸。其封裝形式和電氣性能經過�(yōu)�,能夠在緊湊的空間內實現高效的功率傳��

參數

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�2.2A
  導通電阻:70mΩ
  柵極電荷�50nC
  開關頻率�3MHz
  工作溫度范圍�-40� � +150�

特�

1. 高效功率傳輸:通過降低導通電阻和開關損�,提高了整體效率�
  2. 小型化設計:相比傳統(tǒng)的硅器件,GaN 技術使得芯片體積更�,適合便攜式設備�
  3. 快速開關性能:支持高� 3MHz 的開關頻�,顯著減少磁性元件的尺寸�
  4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的性能表現�
  5. 內置保護功能:部分版本集成了過流保護和短路保護機�,增強了系統(tǒng)可靠��

應用

1. USB PD 充電器:滿足快速充電的需求,同時減小產品尺寸�
  2. 電源適配器:用于筆記本電腦和其他電子設備的高效電源解決方案�
  3. DC-DC 轉換器:在汽車電子和工業(yè)控制領域中廣泛應��
  4. LED 驅動器:為高亮度 LED 提供�(wěn)定且高效的驅動能��
  5. 無線充電模塊:提升無線充電的效率并縮小模組體積�

替代型號

GAN042-650WSA
  PSMN0R9-60YL
  TPH3206WS

ga0402h222jxxap31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-