GA0402H222JXXAP31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,主要用于高�、高效功率轉換應�。該型號具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于電源適配器、充電器、DC-DC 轉換器以及其他需要高性能功率管理的場��
這款芯片利用了氮化鎵材料的優(yōu)異特�,能夠提供比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的效率和更小的尺寸。其封裝形式和電氣性能經過�(yōu)�,能夠在緊湊的空間內實現高效的功率傳��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.2A
導通電阻:70mΩ
柵極電荷�50nC
開關頻率�3MHz
工作溫度范圍�-40� � +150�
1. 高效功率傳輸:通過降低導通電阻和開關損�,提高了整體效率�
2. 小型化設計:相比傳統(tǒng)的硅器件,GaN 技術使得芯片體積更�,適合便攜式設備�
3. 快速開關性能:支持高� 3MHz 的開關頻�,顯著減少磁性元件的尺寸�
4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的性能表現�
5. 內置保護功能:部分版本集成了過流保護和短路保護機�,增強了系統(tǒng)可靠��
1. USB PD 充電器:滿足快速充電的需求,同時減小產品尺寸�
2. 電源適配器:用于筆記本電腦和其他電子設備的高效電源解決方案�
3. DC-DC 轉換器:在汽車電子和工業(yè)控制領域中廣泛應��
4. LED 驅動器:為高亮度 LED 提供�(wěn)定且高效的驅動能��
5. 無線充電模塊:提升無線充電的效率并縮小模組體積�
GAN042-650WSA
PSMN0R9-60YL
TPH3206WS