GA0402A2R2CXBAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,主要用于高�、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Si 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、無線充電和其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片在設(shè)�(jì)上注重提高效率和減少能量損�,同�(shí)其封裝形式也�(jīng)過優(yōu)化以適應(yīng)高密度電路板布局需��
型號(hào):GA0402A2R2CXBAP31G
類型:增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):±8 V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ
連續(xù)漏極電流(Id):2 A
開關(guān)頻率范圍:最高支� 5 MHz
封裝形式:PQFN 3x3 mm
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
GA0402A2R2CXBAP31G 的主要特�(diǎn)是其卓越的開�(guān)性能和高效率。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 器件具備更低的寄生電容和更小的導(dǎo)通電阻,從而顯著減少了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損��
此外,該芯片支持更高的開�(guān)頻率,這使得電源設(shè)�(jì)可以使用更小的磁性元件和濾波�,�(jìn)而減小整體系�(tǒng)尺寸并降低物料成��
其小型化� PQFN 封裝還�(jìn)一步提高了 PCB 空間利用率,適合緊湊型設(shè)�(jì)要求。同�(shí),它具備出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能表現(xiàn)�
該芯片廣泛應(yīng)用于各類高頻功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�,例如數(shù)�(jù)中心電源、電�(dòng)汽車車載充電�、消�(fèi)類快充適配器以及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊�
具體�(yīng)用場(chǎng)景包括:
- 開關(guān)模式電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
- 無線充電�(fā)射端
- 太陽能微型逆變�
這些�(lǐng)�?qū)Ω咝屎托◇w積有較高要求,� GA0402A2R2CXBAP31G 恰好能夠滿足這些需求�
GA0402A2R2CXCAP31G, GS66508T, EPC2020