類(lèi)型：增強(qiáng)型 MOSFET
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓：650V
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　連續(xù)漏極電流：90A
　　柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4V 至 8V
　　開(kāi)關(guān)頻率：支持高達(dá) 5MHz
　　結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：BAP31G

GA0402A1R5CXBAP31G 的主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)頻率性能，這使得它在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)還能減少散熱需求和外部元件數(shù)量。
　　此外，由于采用了增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，該器件無(wú)需復(fù)雜的柵極驅(qū)動(dòng)電路即可正常工作，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。其出色的熱穩(wěn)定性和可靠性使其適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)的各種嚴(yán)苛環(huán)境。
　　以下是其具體特點(diǎn)：
　　1. 高效的開(kāi)關(guān)性能，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 99% 的轉(zhuǎn)換效率。
　　2. 超低的導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗。
　　3. 支持高頻操作，有助于減小磁性元件體積，提升功率密度。
　　4. 具備強(qiáng)大的短路保護(hù)能力和抗電磁干擾能力。
　　5. 封裝緊湊，便于表面貼裝（SMD），適合自動(dòng)化生產(chǎn)。

該器件非常適合用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，如服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源和汽車(chē)電子中的負(fù)載點(diǎn)（POL）模塊。
　　2. 開(kāi)關(guān)電源適配器，包括筆記本電腦和手機(jī)快充頭。
　　3. 無(wú)線充電發(fā)射端和接收端模塊，支持更高功率和更小尺寸的設(shè)計(jì)。
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和光伏逆變器，滿(mǎn)足對(duì)高效率和可靠性的要求。
　　5. LED 照明驅(qū)動(dòng)器，提供更高的調(diào)光精度和穩(wěn)定性。

KSGA15H65-E3, GS66508T