G21.B 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特�,從而有效降低了功耗并提升了系�(tǒng)效率�
其封裝形式多樣,可根�(jù)實際應用需求選擇合適的封裝類型,以滿足不同的散熱和空間限制要求。此�,G21.B 具備出色的耐熱特性和抗浪涌能�,能夠在嚴苛的工作條件下保持�(wěn)定運行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關速度�20ns
工作溫度范圍�-55℃~175�
G21.B 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可顯著減少導通損�,提高整體效率�
2. 高速開關性能,適用于高頻應用場景,能夠降低開關損耗�
3. 良好的熱�(wěn)定�,支持在極端溫度�(huán)境下可靠運行�
4. 內置ESD保護電路,增強了器件的魯棒性�
5. 小型化封裝選�,適合對空間要求嚴格的緊湊型設計�
6. 支持多種保護功能(如過流保護和短路保護),提升了系統(tǒng)的安全��
G21.B 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源和適配器中的功率轉換模塊�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向和制動系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載控制單��
5. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和控制器�
6. DC-DC轉換器和其他需要高效功率管理的應用場景�
IRF540N
FDP5800
AOD510
STP55NF06L