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FYPF2006DN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 11:47:21 查看 閱讀�21

FYPF2006DN是一種高性能的功率MOSFET芯片,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)�(shè)�(jì)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  柵極閾值電壓:2V~4V
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
  總功耗:1.3W

特�

FYPF2006DN具有出色的電氣性能,其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)的整體效率。此�,該器件還擁有快速開�(guān)速度和較低的輸入電容,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。同�(shí),它支持較寬的工作溫度范�,確保在各種�(huán)境條件下都能�(wěn)定運(yùn)行�
  這款功率MOSFET采用了先�(jìn)的制造工�,具備較高的可靠性和耐用�,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)用�

�(yīng)�

FYPF2006DN常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)控制與驅(qū)�
  4. �(fù)載開�(guān)
  5. 電池管理電路
  6. 工業(yè)自動化設(shè)�
  由于其良好的電氣特性和緊湊的封裝形�,F(xiàn)YPF2006DN成為許多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

替代型號

FQP12N60C
  IRFZ44N
  AO3400

fypf2006dn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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