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FV56N103J102EGG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 20:00:33 查看 閱讀�18

FV56N103J102EGG 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適合各種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)��
  該型�(hào)屬于 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)推出的 MOSFET 系列,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類高效能電路設(shè)�(jì)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.6mΩ
  柵極電荷(典型值)�49nC
  輸入電容�1830pF
  總功耗:10W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用的需求�
  3. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然可靠�(yùn)行�
  4. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  5. 具備良好的靜電防�(hù)能力,增�(qiáng)器件的魯棒性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  此款 MOSFET 的低 Rds(on) 和高速開(kāi)�(guān)特性使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇,同�(shí)其緊湊的�(shè)�(jì)也適�(yīng)�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化的要求�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  7. 通信電源
  由于 FV56N103J102EGG 在效�、散熱和可靠性方面的�(yōu)�(shì),它特別適合需要高功率密度和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

FDS6582,
  FDP5600,
  IRFZ44N,
  STP10NK06Z