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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FV43X681K302EFG

FV43X681K302EFG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 18:07:34 查看 閱讀�15

FV43X681K302EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn),適合需要高效能和小體積�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,能夠承受較高的漏源電壓,并具備出色的熱性能表現(xiàn),從而能夠在高功率應(yīng)用中提供�(wěn)定的性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源電壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263(表面貼裝)

特�

FV43X681K302EFG的核心優(yōu)�(shì)在于其超低的�(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。其1.5mΩ的Rds(on)使其在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高整體效率�
  此外�45nC的低柵極電荷確保了更快的開關(guān)速度,減少了開關(guān)損�。該器件還擁有強(qiáng)大的熱管理能�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定運(yùn)��
  其表面貼裝封裝形式(TO-263)�(jìn)一步優(yōu)化了PCB空間利用率,�(jiǎn)化了安裝流程,并增強(qiáng)了散熱性能。這些特點(diǎn)使FV43X681K302EFG成為工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)�(dòng)控制�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,F(xiàn)V43X681K302EFG特別適用于對(duì)效率和散熱要求較高的�(chǎng)��

替代型號(hào)

FV43X681K301EFG
  FV43X681K303EFG
  IRFZ44N
  AO3400A

fv43x681k302efg推薦供應(yīng)� 更多>

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