FV42X122K302EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻和大電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,通過(guò)�(yōu)化的單元�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),使其能夠適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)境并提供高效的功率轉(zhuǎn)��
型號(hào):FV42X122K302EFG
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
Id(持�(xù)漏極電流):180A
Qg(柵極電荷)�35nC
fsw(最大開�(guān)頻率):1MHz
Ptot(總功耗)�250W
Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃至175�
FV42X122K302EFG的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá)180A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠工作�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間并便于散熱管��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升器件的抗靜電能��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng),如直流-直流�(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,用于快速切斷異常電流路徑�
5. LED�(qū)�(dòng)�,以�(shí)�(xiàn)高效且穩(wěn)定的電流輸出�
6. 其他需要高效率、大電流處理能力的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景�
FV42X122K302EFH, FV42X122K303EFG