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FV42N560J302ECG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/31 0:10:20 查看 閱讀:9

FV42N560J302ECG是一款由富士電機(jī)(Fuji Electric)生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件采用N溝道技術(shù),適用于高電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)合,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性。其封裝形式為DPAK(TO-252),能夠有效提升散熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、工業(yè)控制、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。
  該器件在設(shè)計(jì)時(shí)充分考慮了高效率和高可靠性的需求,適合需要高效能和長(zhǎng)壽命的電力電子系統(tǒng)。

參數(shù)

最大漏源電壓:560V
  最大連續(xù)漏電流:42A
  導(dǎo)通電阻(典型值):0.028Ω
  柵極電荷(典型值):105nC
  總功耗:27W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃

特性

FV42N560J302ECG具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高達(dá)560V,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型導(dǎo)通電阻僅為0.028Ω,可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開(kāi)關(guān)特性:較小的柵極電荷使得開(kāi)關(guān)速度更快,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
  4. 高可靠性:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試流程,確保在惡劣環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 良好的熱性能:采用DPAK封裝,優(yōu)化了散熱路徑,提高了功率密度。
  6. 寬溫度范圍:能夠在-55℃至+150℃的結(jié)溫范圍內(nèi)正常工作,適應(yīng)各種極端條件。

應(yīng)用

該器件適用于多種電力電子領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)關(guān)管,用于提高電源轉(zhuǎn)換效率。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制大功率電機(jī)的啟停和調(diào)速。
  3. 太陽(yáng)能逆變器:實(shí)現(xiàn)直流到交流的高效轉(zhuǎn)換。
  4. 不間斷電源(UPS):提供可靠的后備電源支持。
  5. 電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備:滿(mǎn)足高功率充電的需求。
  6. LED照明驅(qū)動(dòng):用于高亮度LED燈具的電源管理。

替代型號(hào)

FV42N560J303ECG, FV42N560J301ECG

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