FV42N100J302ECG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其額定電壓� 100V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá) 42A,適合在高效率電�、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器中使��
該型�(hào)的封裝形式為 D2PAK(TO-263�,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。此�,F(xiàn)V42N100J302ECG 還具備出色的雪崩能力,能夠承受一定的瞬態(tài)�(guò)壓情�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
額定電壓�100V
最大持�(xù)漏極電流�42A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷(Qg):78nC
輸入電容(Ciss):3390pF
總功耗:210W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:D2PAK(TO-263�
FV42N100J302ECG 的主要特性包括:
1. 高效的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),使得其�(dǎo)通電阻非常低,從而降低傳�(dǎo)損��
2. 較小的柵極電荷和輸出電荷,有助于提高開關(guān)速度并減少開�(guān)損��
3. 具備增強(qiáng)型雪崩能量能力,提高了在異常條件下的魯棒��
4. 支持高頻開關(guān)操作,非常適合于硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)�?br> 5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
這款 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
FV42N100J302ECG 憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),成為許多高功率密度�(shè)�(jì)的理想選��
FDP057AN, IRFB4110TRPBF, BUK7Y1R0-100E