時(shí)間：2025/5/30 19:25:04
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FV32X223K102EEG是一款高性能的功率MOSFET芯片，專為高效率、低損耗的開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性，適用于多種電力電子場景。其封裝形式和電氣性能經(jīng)過優(yōu)化，能夠在高電流和高頻工作條件下提供穩(wěn)定的表現(xiàn)。
該器件主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的場合。通過降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，F(xiàn)V32X223K102EEG能夠顯著提升系統(tǒng)能效并減少發(fā)熱問題。
型號：FV32X223K102EEG
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds（漏源電壓）：60V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：1.5mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：90A
Qg（柵極電荷）：35nC
Eoss（輸出電容能量）：45nJ
Vgs(th)（閾值電壓）：2.5V
fSW（推薦工作頻率）：500kHz
封裝：TO-263-3L
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，僅為1.5mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)特性，柵極電荷Qg僅為35nC，適合高頻應(yīng)用。
4. 耐用性和穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠承受高達(dá)60V的漏源電壓。
5. 采用TO-263-3L封裝，具備良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì)。
6. 低柵極電荷和優(yōu)化的開關(guān)特性使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
7. 閾值電壓低至2.5V，易于驅(qū)動，適配各類控制器。
8. 輸出電容能量Eoss較小，進(jìn)一步降低了開關(guān)過程中的能量損失。
9. 可靠性高，適合工業(yè)級和汽車級應(yīng)用環(huán)境。
1. 開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)，包括AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動電路，如無刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率管理。
4. 電動車和混合動力車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. LED驅(qū)動器和高亮度照明系統(tǒng)的功率控制。
7. 數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備中的高效電源模塊。
8. 其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
FV32X223K101EEG, FV32X223K103EEG, IRF3205, SI4463DY
