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FV32X222K102EEG 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 21:28:05 查看 閱讀�20

FV32X222K102EEG是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先進的半導體制造工藝設�。該器件主要應用于開關電�、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率轉換和控制的領�。其出色的導通電阻和開關性能使得它在高效率和低損耗應用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

型號:FV32X222K102EEG
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�85A
  導通電�(Rds(on))�1.4mΩ (典型�,在Vgs=10V�)
  總功�(Ptot)�180W
  結溫范圍(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

FV32X222K102EEG采用最新的溝槽式結構技術,能夠提供超低的導通電阻和快速的開關速度。此�,它的熱性能�(yōu)�,可以有效降低系�(tǒng)中的功率損�。該器件還具有較高的雪崩擊穿能力,確保在異常條件下具備更高的可靠��
  其關鍵優(yōu)勢包括:
  1. 極低的導通電阻,減少傳導損��
  2. 快速開關性能,適合高頻應用�
  3. 良好的熱�(wěn)定性和耐久��
  4. 高可靠性的設計,適用于惡劣的工作環(huán)��

應用

這款功率MOSFET廣泛應用于多種電力電子設備中,例如:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. DC-DC轉換器中的功率開��
  3. 工業(yè)和消費類電機驅動電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換和保��
  5. 各種逆變器和UPS系統(tǒng)中的功率級組��
  FV32X222K102EEG憑借其高效能和�(wěn)定�,成為許多高功率密度應用的理想選擇�

替代型號

FV32X222K102EGG, FV32X222K102EFG

fv32x222k102eeg推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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