FV32N122J102EEG 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由富士電機(jī)(Fuji Electric)生產(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝,適用于中高功率應(yīng)用場(chǎng)合,如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。其出色的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)性能使其成為高效能設(shè)計(jì)的理想選擇。
該型號(hào)的電壓等級(jí)為 1200V,具有較高的耐壓能力,同時(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻,從而能夠減少功率損耗并提高整體效率。此外,它還支持快速開(kāi)關(guān)操作,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏極電流:32A
最大柵極源極電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=15V):0.14Ω
總功耗:260W
工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-220
1. 高擊穿電壓 (1200V),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 較低的導(dǎo)通電阻 (0.14Ω),有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
4. 寬工作溫度范圍 (-55°C 至 +175°C),能夠在極端條件下可靠工作。
5. 穩(wěn)定性高,適合工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域的嚴(yán)苛環(huán)境需求。
6. 具備優(yōu)異的熱性能,有助于改善散熱表現(xiàn)。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)中。
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及逆變器的核心組件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制,包括工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)應(yīng)用。
5. 各種工業(yè)控制和家電產(chǎn)品中的功率管理單元。
6. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 及電驅(qū)系統(tǒng)。
FV32N120MJ, IRFP460, STP32NM12W