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FV31X682K102ECG 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 7:16:28 查看 閱讀:5

FV31X682K102ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源管理領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中。
  其封裝形式和電氣性能使其在緊湊型設(shè)計中表現(xiàn)優(yōu)異,同時能夠滿足多種工業(yè)和消費類電子設(shè)備的需求。

參數(shù)

型號:FV31X682K102ECG
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(連續(xù)漏極電流):100A
  Qg(柵極電荷):45nC
  EAS(雪崩能量):1.5J
  封裝:TO-247-3
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

FV31X682K102ECG 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,可降低開關(guān)損耗,適合高頻操作環(huán)境。
  3. 高電流處理能力,支持高達(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流。
  4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  6. 提供出色的雪崩耐量,增強器件在異常條件下的魯棒性。

應(yīng)用

該芯片適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 工業(yè)級 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)模式電源 (SMPS)。
  2. 大功率電機驅(qū)動和逆變器控制。
  3. 電動車電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
  4. 高效負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景。

替代型號

FV31X682K102ECB, IRF7843, AO3400A

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