時間�2025/6/3 23:33:27
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FV31N821J102EEG 是一款高性能� N 溝道 MOSFET，專為需要高效率和低損耗的應用設計。該器件采用了先進的制造工�，能夠在高頻開關應用中提供卓越的性能�
其主要特點是低導通電阻（Rds(on)�，這使其非常適合用作功率開關或負載開關，同時能夠顯著降低功耗和提升系統(tǒng)效率�
型號：FV31N821J102EEG
類型：N溝道 MOSFET
封裝：TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vdss)�80 V
最大柵源電�(Vgs)：�20 V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�31 A
最大脈沖漏極電�(Ip)�93 A
導通電�(Rds(on))�4.5 mΩ (典型值，Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)�48 nC (最大�)
總功�(Ptot)�175 W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
FV31N821J102EEG 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)）以減少傳導損�，提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�，適合大功率應用�
3. 快速開關速度，支持高頻工作場��
4. 高可靠性設�，可承受極端溫度條件�
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛封��
6. 良好的熱性能，有助于延長器件壽命�
7. 緊湊� D2PAK 封裝，便� PCB 布局設計�
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 中的主功率開��
2. 電機驅動器中的功率級開關�
3. 太陽能逆變器和其他新能源系�(tǒng)的功率轉換模��
4. 工業(yè)設備中的負載開關�
5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
6. LED 驅動器和其他高效照明解決方案�
7. 通信基礎設施中的 DC-DC 轉換器�
FV31N80L, IRF3205, STP36NF06
