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FV31N680J102EMG 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 0:09:44 查看 閱讀:8

FV31N680J102EMG 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),由知名半導體制造商生產(chǎn)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特點。它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、工業(yè)自動化以及消費類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
  這款 MOSFET 的設(shè)計旨在滿足高效能應(yīng)用的需求,同時提供卓越的可靠性和耐用性。其封裝形式通常為行業(yè)標準類型,便于集成到各種電路設(shè)計中。

參數(shù)

最大漏源電壓:680V
  連續(xù)漏極電流:15A
  導通電阻:0.45Ω
  柵極電荷:100nC
  總功耗:250W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

FV31N680J102EMG 提供了出色的電氣性能,適用于高壓環(huán)境下的高效功率轉(zhuǎn)換。以下是其主要特性:
  1. 高耐壓能力:高達 680V 的漏源電壓使其非常適合高壓應(yīng)用,例如開關(guān)電源和逆變器。
  2. 低導通電阻:0.45Ω 的典型值降低了導通損耗,提高了整體效率。
  3. 快速開關(guān)性能:低柵極電荷設(shè)計確保了快速的開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。
  4. 強大的散熱能力:優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)和寬溫度范圍支持使其能夠在嚴苛的工作條件下穩(wěn)定運行。
  5. 高可靠性:通過多種質(zhì)量測試認證,保證在長期使用中的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

FV31N680J102EMG 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的功率傳輸。
  2. 工業(yè)控制:如電機驅(qū)動、伺服系統(tǒng)和可編程邏輯控制器(PLC)。
  3. 電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV):應(yīng)用于車載充電器和逆變器模塊。
  4. 家用電器:空調(diào)、冰箱等需要大功率驅(qū)動的設(shè)備。
  5. 可再生能源:太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分。
  6. 照明系統(tǒng):LED 驅(qū)動器和高強度放電燈(HID)。

替代型號

FV31N680J101EMG, IRFP460, STP15NF68

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