FV31N221J202EEG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特性,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
該型號的主要特點是其高效率和可靠性,使其在工�(yè)、消費類電子�(chǎn)品和通信�(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.8A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�20nC
總電容:1100pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-263
FV31N221J202EEG 的主要特性包括:
1. 高效率:由于其低�(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷和輸出電容使得器件能夠在高頻條件下保持高效運��
3. 熱穩(wěn)定性強:支持的工作�(jié)溫范圍較廣,確保在極端環(huán)境下的可靠運��
4. �(yōu)化設(shè)計:特別適合 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和電機驅(qū)動等�(yīng)��
5. 可靠性高:通過了嚴(yán)格的測試流程,保證在各種�(yīng)用場景中的長期穩(wěn)定��
Fairchild 的這款 MOSFET �(jīng)過精心設(shè)計,滿足�(xiàn)代功率電子系�(tǒng)對高性能和高可靠性的需��
FV31N221J202EEG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
2. 電機控制:適用于小型直流電機�(qū)動和�(fēng)扇控��
3. 電池管理:作為電池保護電路中的關(guān)鍵組件,提供充放電控制功��
4. 負載開關(guān):實�(xiàn)電源通斷控制,同時減少能量損��
5. 工業(yè)自動化:用作繼電器替代方案,提升系統(tǒng)的響�(yīng)速度和壽��
此款 MOSFET 的多功能性和高效性能使其成為眾多功率管理�(yīng)用的理想選擇�
FV31N221JTRG, FDP5802, IRFZ44N