時間：2025/5/23 7:22:36
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FV31N101J202EEG是一款由Fairchild（現(xiàn)為On Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體管。該器件具有低導通電阻和高開關(guān)速度，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用。
該MOSFET采用TO-252-3小型表面貼裝封裝形式，具備良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計特點。這種封裝方式使其非常適合空間受限的電路設(shè)計。
最大漏源電壓(VDS)：60V
最大柵源電壓(VGS)：±20V
連續(xù)漏極電流(ID)：9.2A
導通電阻(RDS(on))：35mΩ
功耗(PD)：28W
結(jié)溫范圍(TJ)：-55°C 至 150°C
總電荷(Qg)：4nC
輸入電容(Ciss)：730pF
輸出電容(Coss)：85pF
該MOSFET具有較低的導通電阻，有助于減少傳導損耗并提高效率。
FV31N101J202EEG支持高頻操作，這主要得益于其快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷。
其具備較高的雪崩擊穿能力，能夠增強在異常條件下的耐用性。
采用的TO-252-3封裝形式提供優(yōu)越的熱性能，同時保持了小尺寸和輕量化設(shè)計。
MOSFET還具有出色的靜電放電(ESD)保護功能以確�？煽啃浴�
FV31N101J202EEG廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備和汽車電子領(lǐng)域。
具體應(yīng)用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源(SMPS)、電機控制和驅(qū)動、負載開關(guān)、電池保護電路等。
由于其低導通電阻和高頻率特性，它也非常適合用于高效能要求的筆記本電腦適配器、LED照明系統(tǒng)以及家用電器中的功率管理部分。
FQP17P06,
IRFZ44N,
STP9NK60Z,
AO3400
