FSU01N60A 是一� N 灃道通態(tài)硅功� MOSFET,適用于高電壓開�(guān)�(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、電�(jī)控制和逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
這款 MOSFET 的額定耐壓� 600V,能夠承受較高的漏源電壓,同時其極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�1.04A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.8Ω
柵極電荷(典型值)�7nC
反向恢復(fù)時間�39ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
1. 高耐壓能力,適合高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)特�,可有效減少開關(guān)損耗�
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下長時間運(yùn)行�
5. 小封裝尺�,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 逆變�
5. PFC(功率因�(shù)校正)電�
6. 各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的高壓開�(guān)�(yīng)�
FQU11N60,
STP1NR60,
IRF640