FST16211MEA是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封裝。該器件主要用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場景。其主要特點是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、電源管理等�(yīng)用領(lǐng)��
此功率MOSFET通過�(yōu)化的制造工藝實�(xiàn)了較低的�(dǎo)通電阻和良好的熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運�,并且具有較高的電流承載能力�
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�8.7A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�19mΩ
柵極電荷(Qg)�13nC
總功�(Ptot)�1.4W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)特�,可降低開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,提供更高的系統(tǒng)可靠��
4. 具備�(yōu)異的熱性能,能夠適�(yīng)更寬的工作溫度范��
5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
6. 封裝形式為TO-252(DPAK),便于PCB布局和焊��
7. 低柵極電荷設(shè)�,可以有效提升高頻下的工作效��
FDP16211, IRF7413, SI4476DY