FSDM0265RNB 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生產的超結 MOSFET。該器件專為高頻開關應用而設�,具有低導通電阻和快速開關特�,適合用于開關電�、DC-DC 轉換器以及電機驅動等場景�
這款 MOSFET 采用 TO-247 封裝形式,能夠承受較高的電壓和電流負載。其�(yōu)化的柵極電荷設計使得開關損耗顯著降�,從而提升了系統(tǒng)的整體效率�
型號:FSDM0265RNB
封裝:TO-247
VDS(漏源擊穿電壓)�650 V
RDS(on)(導通電阻)�180 mΩ(典型�,@VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):20 A
Qg(總柵極電荷):42 nC
EAS(雪崩能量)�1.3 J
fT(特征頻率)�2.1 MHz
VGS(th)(柵源開啟電壓)�3 V~4 V
工作溫度范圍�-55℃~175�
FSDM0265RNB 具備以下主要特性:
1. 高電壓耐受能力�650V�,使其適用于多種高壓工業(yè)及消費類電子應用�
2. 極低的導通電阻(180mΩ 典型值),減少了傳導損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度得益于優(yōu)化的柵極電荷設計,降低了開關損耗�
4. 強大的雪崩能力和魯棒�,確保在惡劣條件下的可靠運行�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適應各種環(huán)境需求�
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
FSDM0265RNB 的典型應用場景包括:
1. 開關電源 (SMPS),如適配器、充電器��
2. DC-DC 轉換器,特別是在高效率和高功率密度設計中�
3. 工業(yè)電機驅動控制,例如變頻器和伺服系�(tǒng)�
4. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊�
5. PFC(功率因�(shù)校正)電�,以提升能源利用率�
6. 各種需要高�、高效功率開關的應用領域�
FST06N65L,
FDP15N65,
FDMT6600Z