時(shí)間：2025/5/26 12:31:41
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FSD200B是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等場景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，能夠滿足多種功率應(yīng)用的需求。
該MOSFET的額定電壓為200V，適合高壓環(huán)境下的工作，同時(shí)具備良好的穩(wěn)定性和可靠性。其小型封裝設(shè)計(jì)使其在空間受限的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓：200V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：1.3A
導(dǎo)通電阻（典型值）：5.6Ω
柵極電荷：17nC
輸入電容：480pF
總耗散功率（Tc=25℃）：2.5W
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
1. 高耐壓能力：額定電壓高達(dá)200V，適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：在特定條件下，導(dǎo)通電阻僅為5.6Ω，有效降低功率損耗。
3. 快速開關(guān)性能：小的柵極電荷和輸入電容確保了快速的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
4. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格的測試和篩選，能夠在惡劣環(huán)境下長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 小型化設(shè)計(jì)：緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化的要求。
1. 開關(guān)電源：用于主開關(guān)管或同步整流管，提升效率和穩(wěn)定性。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器：作為功率開關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。
3. 電機(jī)驅(qū)動：控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速，提供精確的功率輸出。
4. 負(fù)載開關(guān)：保護(hù)電路免受過流、短路等異常情況的影響。
5. 電池管理系統(tǒng)：用于電池充放電控制，確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。
FDP019N20,
FQP13N20,
IRF640
