FSB50250US 是一款基于硅技�(shù)制造的 N 沯道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性的�(yīng)�。該器件采用 TO-263 封裝形式,具有出色的熱性能和電氣性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等多種工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
FSB50250US 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高電流處理能力和低�(dǎo)通損耗,同時(shí)保持良好的開(kāi)�(guān)特性,使其� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)以及各類(lèi)高效能功率轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)�(yōu)��
型號(hào):FSB50250US
封裝:TO-263
Vds(漏源電壓)�50V
Rds(on)(�(dǎo)通電�)�2.5mΩ @ Vgs=10V
Id(連續(xù)漏極電流)�250A
功耗:48W
工作溫度范圍�-55� to 175�
柵極電荷(Qg)�35nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�25ns
FSB50250US 提供了極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。其高電流承載能� (Id) 和快速開(kāi)�(guān)特� (� Qg � trr),使得此器件非常適合高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
此外,F(xiàn)SB50250US 還具備優(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高達(dá) 175°C 的結(jié)溫下可靠�(yùn)�。由于采用了先�(jìn)的硅工藝,這款 MOSFET 在動(dòng)�(tài)操作期間表現(xiàn)出較低的�(kāi)�(guān)損�,并且具有較�(qiáng)的抗雪崩能力,從而增�(qiáng)了系�(tǒng)的整體可靠��
� TO-263 封裝不僅提供了良好的散熱性能,還易于集成到印刷電路板�,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)流程�
FSB50250US 主要�(yīng)用于需要高效功率管理的�(chǎng)�,例如:
- �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池充電和管理系�(tǒng)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
- 大功� LED �(qū)�(dòng)
憑借其高電流承受能力和低導(dǎo)通電�,這款 MOSFET 特別適合用于要求高性能和高效率的應(yīng)用環(huán)��
FSB50250UH, FSB50250UL