FS56X105K501EGG 是一款由 Fairchild(現已被 ON Semiconductor 收購)生產的高效能功率 MOSFET 芯片。該芯片采用先進的制造工藝,旨在為各種電源管理應用提供高效率和低損耗的解決方案。
FS56X105K501EGG 的主要特點是其較低的導通電阻(Rds(on)),這使得它非常適合用于開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動等需要高效能量轉換的應用場景。此外,其出色的熱性能和堅固的設計也使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運行。
型號:FS56X105K501EGG
類型:N溝道增強型MOSFET
漏源極電壓(Vdss):60V
連續(xù)漏極電流(Id):105A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
總功耗(Ptot):348W
工作溫度范圍(Topr):-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247-3
FS56X105K501EGG 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在高電流應用中可有效減少傳導損耗。
2. 高電流承載能力,支持高達105A的連續(xù)漏極電流。
3. 高效的能量轉換能力,適用于高頻開關應用。
4. 出色的熱性能,能夠快速散熱并維持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適合極端環(huán)境下的使用。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現代電子設計中。
7. 優(yōu)秀的抗雪崩能力和 ESD 保護,增強了器件的可靠性和耐用性。
FS56X105K501EGG 主要應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換。
2. 工業(yè)及消費類 DC-DC 轉換器。
3. 各種類型的電機驅動電路。
4. 電池管理系統(BMS)中的充放電控制。
5. 不間斷電源(UPS)系統。
6. 太陽能逆變器和其他新能源相關設備。
7. 高效負載開關和保護電路。
FS56X100K501EGG, IRF540N, FDP5600