FS55X475K101EGG 是一款由 Fairchild(現(xiàn)已被 ON Semiconductor 收購)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� N 溝道增強(qiáng)型技�(shù)。該芯片專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各類電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
該器件在�(shè)�(jì)上注重效率和性能,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(dòng)工具等領(lǐng)�。其封裝形式通常� TO-263 � DPAK 封裝,適合表面貼裝工�,有助于�(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)和提高散熱性能�
型號(hào):FS55X475K101EGG
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.7mΩ
柵極電荷(典型值)�18nC
總功耗:160W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263 (DPAK)
最小雪崩擊穿電壓:80V
FS55X475K101EGG 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),它還具備以下特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,減少了開關(guān)損��
3. �(nèi)� ESD 保護(hù),增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
4. 高雪崩擊穿能�,提高了器件在異常情況下的可靠��
5. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐用性,能夠適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
這些特性使� FS55X475K101EGG 成為高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
FS55X475K101EGG 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元件�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 逆變器和不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率管理的�(yīng)��
由于其出色的電氣特性和�(wěn)定�,這款 MOSFET 在工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用�
FDP55N06L
IRF540N
FQA50N06
STP55NF06L