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FS55X225K251EGG 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 0:08:45 查看 閱讀:9

FS55X225K251EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。
  該型號屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)旗下的MOSFET系列,其設(shè)計旨在提供卓越的開關(guān)特性和可靠性,適用于各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換與管理。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(V_DS):55V
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  連續(xù)漏極電流(I_D):225A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.3mΩ (典型值,V_GS=10V)
  總柵極電荷(Q_g):87nC
  輸入電容(Ciss):4590pF
  開關(guān)頻率:最高支持500kHz
  工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  封裝形式:D2PAK-7

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
  3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場合。
  4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛設(shè)計。
  5. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和電氣性能,確保長時間運行的可靠性。
  6. 內(nèi)置ESD保護(hù),提升了器件在組裝和使用過程中的抗靜電能力。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - AC-DC適配器
   - 服務(wù)器和通信電源
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:
   - 工業(yè)控制
   - 汽車電子
  3. 電機(jī)驅(qū)動:
   - 家用電器
   - 工業(yè)自動化設(shè)備
  4. 其他功率管理模塊:
   - 太陽能逆變器
   - LED照明驅(qū)動電路

替代型號

IRF540N
  FDP55N50
  STP55NF06L

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