FS55X225K251EGG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。
該型號屬于Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)旗下的MOSFET系列,其設(shè)計旨在提供卓越的開關(guān)特性和可靠性,適用于各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換與管理。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):55V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):225A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):1.3mΩ (典型值,V_GS=10V)
總柵極電荷(Q_g):87nC
輸入電容(Ciss):4590pF
開關(guān)頻率:最高支持500kHz
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝形式:D2PAK-7
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場合。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛設(shè)計。
5. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和電氣性能,確保長時間運行的可靠性。
6. 內(nèi)置ESD保護(hù),提升了器件在組裝和使用過程中的抗靜電能力。
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- AC-DC適配器
- 服務(wù)器和通信電源
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:
- 工業(yè)控制
- 汽車電子
3. 電機(jī)驅(qū)動:
- 家用電器
- 工業(yè)自動化設(shè)備
4. 其他功率管理模塊:
- 太陽能逆變器
- LED照明驅(qū)動電路
IRF540N
FDP55N50
STP55NF06L